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与上代14纳米工艺相比,10纳米技术可以减少30%的芯片尺寸,同时提升性能27%以及降低40%的功耗。
高通今天宣布,将与三星电子合作开发新一代骁龙835处理器。 最大的特色是采用三星的10纳米工艺技术构建,支持Quick Charge 4.0快速充电技术。
高通表示,通过采用全新的10纳米工艺,英龙835处理器将实现低功耗和高性能,从而增强移动设备的用户体验。
今年10月,三星率先宣布量产10纳米工艺,据悉,与前代14纳米工艺相比,10纳米工艺可将芯片尺寸减少30%,同时将性能提高27%,功耗降低40%。
10纳米工艺的高通骁龙835处理器通过减小SoC大小,使OEM制造商能够进一步优化移动设备的内部结构,包括添加电池和薄型化**。 此外,工艺的改进还可以提高电池续航时间。
目前,骁龙835已经投入生产,基于骁龙835处理器的设备有望在2017年上半年陆续上市。
除了骁龙835处理器外,高通还正式发布了快速充电技术,以支持骁龙835处理器。 QC 4.0在前代方案的基础上继续提高充电效率。 官方称充电5分钟可以将手机的使用时间延长5小时,充电效率比以前增加30%。 此外,QC 4.0还集成了对USB-C的支持,适用范围更广。
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